正常選擇的型號Vref=），開始一直覺得問題出在TLV431上，后來換了板子竟發現可以正常穩壓（應該是上一個板子變壓器和MOS管出現問題，但沒回去驗證），但是mos管很燙，帶載不到十秒鐘就會冒煙，后來經過與芯片方案的FAE溝通才發現，MSP3910的驅動MOS管的引腳gate腳與MOS管之間的限流電阻用錯物料，mos管工作原理圖是，但實際用的是，更換電阻后可輸出正常電壓，MOS管也不會很燙。下面是解決問題思路：一、用示波器觀察所用MOS管的G極波形，如圖一所示，上升時間接近，下降時間接近<160ns（實測50ns），再看如圖二所示的手冊中對MOS驅動上升下降沿要求，上升時間要求<35ns，下降時間<80ns，可得結論：上升時間過長導致MOS管工作為線性狀態，非開關狀態（參看總結一），MOS管開通過程時間太長直接導致了MOS管的發熱嚴重。二、解決：更換驅動限流電阻（圖二中Rg），由于當時手里當時沒有，更換為22歐的電阻后，G極波形如圖三所示，Ton和Toff已經接近圖二要求的時間，MOS管24V時帶載27歐，輸出功率，輸出電壓正常，MOS管基本不發熱。總結一：MOS管發熱原因小結1、電路設計的問題，就是讓MOS管工作在線性的工作狀態，而不是在開關狀態。這也是導致MOS管發熱的一個原因。mos管的工作原理是金屬氧化物半導體場效應晶體管（簡稱mos管）。遼寧哪里有MOS管代理商

    或者稱是金屬—絕緣體（insulator）—半導體。MOS管的source和drain是可以對調的，他們都是在P型backgate中形成的N型區。在多數情況下，這個兩個區是一樣的，即使兩端對調也不會影響器件的性能。這樣的器件被認為是對稱的。目前在市場應用方面，排名第1的是消費類電子電源適配器產品。而MOS管的應用領域排名第二的是計算機主板、NB、計算機類適配器、LCD顯示器等產品，隨著國情的發展計算機主板、計算機類適配器、LCD顯示器對MOS管的需求有要超過消費類電子電源適配器的現象了。第三的就屬網絡通信、工業控制、汽車電子以及電力設備領域了，這些產品對于MOS管的需求也是很大的，特別是現在汽車電子對于MOS管的需求直追消費類電子了。下面對MOS失效的原因總結以下六點，然后對1，2重點進行分析：1：雪崩失效（電壓失效），也就是我們常說的漏源間的BVdss電壓超過MOSFET的額定電壓，并且超過達到了一定的能力從而導致MOSFET失效。2：SOA失效（電流失效），既超出MOSFET安全工作區引起失效，分為Id超出器件規格失效以及Id過大，損耗過高器件長時間熱積累而導致的失效。3：體二極管失效：在橋式、LLC等有用到體二極管進行續流的拓撲結構中，由于體二極管遭受破壞而導致的失效。廣東常見MOS管代理商MOS管的Source和Drain是可以對調的，他們都是在P型Backgate中形成的N型區。

    此時N型半導體的源極和漏極的負電子被吸引出來而涌向柵極，但由于氧化膜的阻擋，使得電子聚集在兩個N溝道之間的P型半導體中（見圖b），從而形成電流，使源極和漏極之間導通。我們也可以想像為兩個N型半導體之間為一條溝，柵極電壓的建立相當于為它們之間搭了一座橋梁，該橋的大小由柵壓的大小決定。圖給出了P溝道的MOS管。MOS管工作原理圖工作過程，其工作原理類似這里不再重復。下面簡述一下用C-MOS場效應管（增強型MOS管）組成的應用電路的工作過程（見圖）。電路將一個增強型P溝道MOS管和一個增強型N溝道MOS場效應管組合在一起使用。當輸入端為低電平時，P溝道MOS管導通，輸出端與電源正極接通。當輸入端為高電平時，N溝道MOS場效應管導通，輸出端與電源地接通。在該電路中，P溝道MOS場效應管和N溝道MOS場效應管總是在相反的狀態下工作，其相位輸入端和輸出端相反。通過這種工作方式我們可以獲得較大的電流輸出。同時由于漏電流的影響，使得柵壓在還沒有到0V，通常在柵極電壓小于1到2V時，MOS場效應管既被關斷。不同場效應管其關斷電壓略有不同。也正因為如此，使得該電路不會因為兩管同時導通而造成電源短路。

    首先考察一個更簡單的器件--MOS電容--能更好的理解MOS管。這個器件有兩個電極，一個是金屬，另一個是extrinsicsilicon(外在硅)，他們之間由一薄層二氧化硅分隔開。金屬極就是GATE，而半導體端就是backgate或者body。他們之間的絕緣氧化層稱為gatedielectric(柵介質)。圖示中的器件有一個輕摻雜P型硅做成的backgate。這個MOS電容的電特性能通過把backgate接地，gate接不同的電壓來說明。MOS電容的GATE電位是0V。金屬GATE和半導體BACKGATE在WORKFUNCTION上的差異在電介質上產生了一個小電場。在器件中，這個電場使金屬極帶輕微的正電位，P型硅負電位。這個電場把硅中底層的電子吸引到表面來，它同時把空穴排斥出表面。這個電場太弱了，所以載流子濃度的變化非常小，對器件整體的特性影響也非常小。當MOS電容的GATE相對于BACKGATE正偏置時發生的情況。穿過GATEDIELECTRIC的電場加強了，有更多的電子從襯底被拉了上來。同時，空穴被排斥出表面。隨著GATE電壓的升高，會出現表面的電子比空穴多的情況。由于過剩的電子，硅表層看上去就像N型硅。摻雜極性的反轉被稱為inversion，反轉的硅層叫做channel。隨著GATE電壓的持續不斷升高，越來越多的電子在表面積累。mos管也稱場效應管，首先考察一個更簡單的器件--MOS電容--能更好的理解MOS管。

    柵極電壓還沒有到達VGS（th），導電溝道沒有形成，MOSFET仍處于關閉狀態。2.[t1-t2]區間,GS間電壓到達Vgs（th），DS間導電溝道開始形成，MOSFET開啟，DS電流增加到ID,Cgs2迅速充電，Vgs由Vgs（th）指數增長到Va。3.[t2-t3]區間,MOSFET的DS電壓降至與Vgs相同,產生Millier效應，Cgd電容增加,柵極電流持續流過，由于Cgd電容急劇增大，抑制了柵極電壓對Cgs的充電,從而使得Vgs近乎水平狀態，Cgd電容上電壓增加,而DS電容上的電壓繼續減小。4.[t3-t4]區間,至t3時刻,MOSFET的DS電壓降至飽和導通時的電壓,Millier效應影響變小，Cgd電容變小并和Cgs電容一起由外部驅動電壓充電,Cgs電容的電壓上升,至t4時刻為止.此時Cgs電容電壓已達穩態,DS間電壓也達小，MOSFET完全開啟。OS管是指場效應管。它采用絕緣柵結構的晶體三極管，輸入阻抗高，輸出呈電阻態。江西定制MOS管代理商

mos管是個開關，柵極（G）是控制端，它控制著源極（S）和漏極（D）之間是否能導通，即是否可以通過電流。遼寧哪里有MOS管代理商

    這個電路提供了如下的特性：1，用低端電壓和PWM驅動MOS管。2，用小幅度的PWM信號驅動高gate電壓需求的MOS管。3，gate電壓的峰值限制4，輸入和輸出的電流限制5，通過使用合適的電阻，可以達到很低的功耗。6，PWM信號反相。NMOS并不需要這個特性，可以通過前置一個反相器來解決。在設計便攜式設備和無線產品時，提高產品性能、延長電池工作時間是設計人員需要面對的兩個問題。DC-DC轉換器具有效率高、輸出電流大、靜態電流小等優點，非常適用于為便攜式設備供電。DC-DC轉換器設計技術發展主要趨勢：(1)高頻化技術：隨著開關頻率的提高，開關變換器的體積也隨之減小，功率密度也得到大幅提升，動態響應得到改善。小功率DC-DC轉換器的開關頻率將上升到兆赫級。(2)低輸出電壓技術：隨著半導體制造技術的不斷發展，微處理器和便攜式電子設備的工作電壓越來越低，這就要求未來的DC-DC變換器能夠提供低輸出電壓以適應微處理器和便攜式電子設備的要求。這些技術的發展對電源芯片電路的設計提出了更高的要求。首先，隨著開關頻率的不斷提高，對于開關元件的性能提出了很高的要求，同時必須具有相應的開關元件驅動電路以保證開關元件在高達兆赫級的開關頻率下正常工作。其次。遼寧哪里有MOS管代理商

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