包括安裝板、以及布置在所述安裝板上側的igbt單管，所述安裝板上還連接有具有彈性的壓緊件，所述壓緊件將所述igbt單管抵壓在所述安裝板上。這樣，在將所述igbt單管安裝在所述安裝板上時，只需向上抬起所述具有彈性的壓緊件，然后將所述igbt單管放置到安裝位上后，再松開所述壓緊件即可實現所述igbt單管的固定。相比于目前通過螺釘固定所述igbt單管的方法，**節約了igbt單管在安裝板上的安裝時間，并且減少了總裝的零件數量，提高了igbt模塊的生產效率，還降低了因螺釘松動而引起的igbt模塊損壞風險。附圖說明為了更清楚地說明本實用新型實施例或現有技術中的技術方案，下面將對實施例或現有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖**是本實用新型的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖獲得其它的附圖。圖1為本實用新型實施例提供的一種igbt模塊的結構示意圖；圖2為圖1中的igbt模塊的局部示意圖；圖3為本實用新型實施例提供的其中一種壓緊件的結構示意圖；圖4為圖1中的igbt模塊去掉igbt單管后的結構示意圖。具體實施方式下面結合附圖對本實用新型實施例進行詳細描述。應當明確。有的外殼里只有一顆IGBT芯片，有的可能會十幾顆，二十幾顆芯片。出口模塊代理品牌

IGBT是先進的第三代功率模塊，工作頻率1-20khz,主要應用在變頻器的主回路逆變器及一切逆變電路，即dc/ac變換中。例電動汽車、伺服控制器、UPS、開關電源、斬波電源、無軌電車等。問世迄今有十年多歷史，幾乎已替代一切其它功率器件，例SCR、GTO、GTR、MOSFET、雙極型達林頓管等如今功率可高達1MW的低頻應用中，單個元件電壓可達4.0KV（pt結構）一6.5KV（npt結構），電流可達1.5KA,是較為理想的功率模塊。a,柵極與任何導電區要絕緣，以免產生靜電而擊穿，所以包裝時將g極和e極之間要有導電泡沫塑料，將它短接。裝配時切不可用手指直接接觸，直到g極管腳進行長久性連接。  b、主電路用螺絲擰緊，控制極g要用插件，盡可能不用焊接方式。云南模塊大概價格多少GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大。

IGBT模塊上有一個“續流二極管”。它有什么作用呢？答：當PWM波輸出的時候，它是維持電機內的電流不斷用的。我在說明變頻器逆變原理的時候，用的一個電阻做負載。電阻做負載，它上面的電流隨著電壓有通斷而通斷，上圖所示的原理沒有問題。但變頻器實際是要驅動電機的，接在電機的定子上面，定子是一組線圈繞成的，就是“電感”。電感有一個特點：它的內部的電流不能進行突變。所以當采用PWM波輸出電壓波形時，加在電機上的電壓就是“斷斷續續”的，這樣電機內的電流就會“斷斷續續”的，這就給電機帶來嚴重的后果：由于電感斷流時，會產生反電動勢，這個電動勢加在IGBT上面，對IGBT會有損害。解決的辦法：在IGBT的CE極上并聯“續流二極管”。有了這個續流二極管，電機的電流就是連續的。具體怎么工作的呢？如下圖，負載上換成了一個電感L。當1/4開通時，電感上會有電流流過。然后PWM波控制1/4關斷，這樣上圖中標箭頭的這個電路中就沒有電流流過。由于電感L接在電路中，電感的特性，電流不能突然中斷，所以電感中此時還有電流流過，同時因為電路上電流中斷了，導致它會產生一個反電動勢，這個反電動勢將通過3的續流二極管加到正極上，由于正極前面有濾波電容。

    但在中**MOSFET及IGBT主流器件市場上，90％主要依賴進口，基本被國外歐美、日本企業壟斷。國外企業如英飛凌、ABB、三菱等廠商研發的IGBT器件產品規格涵蓋電壓600V-6500V，電流2A-3600A，已形成完善的IGBT產品系列。英飛凌、三菱、ABB在1700V以上電壓等級的工業IGBT領域占***優勢；在3300V以上電壓等級的高壓IGBT技術領域幾乎處于壟斷地位。在大功率溝槽技術方面，英飛凌與三菱公司處于國際**水平。西門康、仙童等在1700V及以下電壓等級的消費IGBT領域處于優勢地位。盡管我國擁有**大的功率半導體市場，但是目前國內功率半導體產品的研發與國際大公司相比還存在很大差距，特別是IGBT等**器件差距更加明顯。**技術均掌握在發達國家企業手中，IGBT技術集成度高的特點又導致了較高的市場集中度。跟國內廠商相比，英飛凌、三菱和富士電機等國際廠商占有***的市場優勢。形成這種局面的原因主要是：1、國際廠商起步早，研發投入大，形成了較高的**壁壘。2、國外**制造業水平比國內要高很多，一定程度上支撐了國際廠商的技術優勢。中國功率半導體產業的發展必須改變目前技術處于劣勢的局面，特別是要在產業鏈上游層面取得突破，改變目前功率器件領域封裝強于芯片的現狀。總的來說。它與GTR 的輸出特性相似．也可分為飽和區1 、放大區2 和擊穿特性3 部分。

IGBT功率模塊是以絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）構成的功率模塊。由于IGBT模塊為MOSFET結構，IGBT的柵極通過一層氧化膜與發射極實現電隔離，具有出色的器件性能。廣泛應用于伺服電機、變頻器、變頻家電等領域。IGBT功率模塊是電壓型控制，輸入阻抗大，驅動功率小，控制電路簡單，開關損耗小，通斷速度快，工作頻率高，元件容量大等優點。實質是個復合功率器件，它集雙極型功率晶體管和功率MOSFET的優點于一體化。又因先進的加工技術使它通態飽和電壓低，開關頻率高（可達20khz），這兩點非常顯著的特性，**近西門子公司又推出低飽和壓降（2.2v）的npt-IGBT性能更佳，相繼東芝、富士、ir,摩托羅拉亦已在開發研制新品種。輸出漏極電流比受柵源電壓Ugs 的控制，Ugs 越高， Id 越大。黑龍江模塊商家

前市場上銷售的多為此類模塊化產品，一般所說的IGBT也指IGBT模塊。出口模塊代理品牌

    原標題：可控硅模塊在電路中的作用的什么？提到可控硅模塊，人們都會想到它是一種類似于二極管的東西，但是詳細作用往往不是特別了解，尤其是在電路中的作用更是知之甚少，下面，正高電氣就在給你普及一下相關知識，詳細講解可控硅模塊在電路中的作用。可控硅在電路中的作用一般有兩種，主要是可控整流和無觸點開關。可控整流：一般來說，普通的可控硅模塊在電路中的用途就是可控整流，像大家都比較熟悉的二極管整流電路屬于不可控整流電路，如果能夠將二極管換成可控硅模塊，就能夠構成可控整流電路、逆變、電機調速、電機勵磁、無觸點開關機自動控制等多個方面的應用。在電工技術中，經常將交流電的半個周期為180度，稱為電角度，這樣在U2的每個正半周，從零值開始到觸發脈沖到來瞬間所經歷的電角度成為控制角α；在每個正半周內晶閘管導通的電角度叫導通角θ。很明顯，α和θ都是用來表示晶閘管在承受正向電壓的半個周期的導通或阻斷范圍的。通過改變控制角α或導通角θ，改變負載上脈沖直流電壓的平均值UL，實現了可控整流。無觸點開關：可控硅模塊的作用當然也不**是整流，它還可以作為無觸點開關來用，以便于更好的快速接通或者切斷電路。出口模塊代理品牌

江蘇芯鉆時代電子科技有限公司是一家貿易型類企業，積極探索行業發展，努力實現產品創新。公司是一家有限責任公司（自然）企業，以誠信務實的創業精神、專業的管理團隊、踏實的職工隊伍，努力為廣大用戶提供***的產品。公司業務涵蓋IGBT模塊，可控硅晶閘管，二極管模塊，熔斷器，價格合理，品質有保證，深受廣大客戶的歡迎。江蘇芯鉆時代順應時代發展和市場需求，通過**技術，力圖保證高規格高質量的IGBT模塊，可控硅晶閘管，二極管模塊，熔斷器。