即檢測輸入端或直流端的總電流，當此電流超過設定值后比較器翻轉，***所有IGBT輸入驅動脈沖，使輸出電流降為零。這種過載過流保護，一旦動作后,要通過復位才能恢復正常工作。IGBT能夠承受很短時間的短路電流，能夠承受短路電流的時間與該IGBT的飽和導通壓降有關，隨著飽和導通壓降的增加而延長。如飽和壓降小于2V的IGBT允許的短路時間小于5μS，而飽和壓降為3V的IGBT的允許短路時間可達15μS，4～5V時可達到30μS以上。存在以上的關系是由于隨著飽和導通壓降的降低，IGBT的阻抗也降低，短路電流同時增大，短路時的功耗隨著電流的平方增大，造成承受短路時間迅速減小。通常采取的保護措施有軟關斷和降柵壓兩種。軟關斷是指在過流和短路時，直接關斷IGBT。但是，軟關斷抗干擾能力差，一旦檢測到過流信號就關斷，很容易發(fā)生誤動作。為增加保護電路的抗干擾能力，可在故障信號和保護動作之間加一延時，不過故障電流會在這個延時時間內急劇上升，**增加了故障損耗，同時還會導致器件的di/dt過大。所以往往是保護電路啟動了，器件依然損壞了。降柵壓旨在檢測到器件過流時，馬上降低柵壓，但器件仍維持導通。降柵壓后，設有固定延時，故障電流在這一段時間內被限制在一個較小的值。二極管由管芯、管殼和兩個電極構成。管芯是一個PN結。出口模塊

    本實用新型屬于半導體器件技術領域，具體地說，本實用新型涉及一種igbt模塊。背景技術：引腳在igbt(insulatedgatebipolartransistor)模塊中的作用是做電路的引出，引腳焊接的品質直接關系到模塊的電路輸出及整體生產良率。對于現有的模塊，引腳與銅層之間的焊接面積較小，在作業(yè)過程中容易出現爬錫不良及虛焊等品質問題，影響產品整體作業(yè)良率。技術實現要素：本實用新型旨在至少解決現有技術中存在的技術問題之一。為此，本實用新型提供一種igbt模塊，目的是提高引腳的焊接品質。為了實現上述目的，本實用新型采取的技術方案為：igbt模塊，包括鋁基板和引腳，所述引腳包括與所述鋁基板焊接的***連接部、與***連接部連接的第二連接部和與第二連接部連接且與***連接部相平行的第三連接部，***連接部的長度為，第二連接部與第三連接部之間的夾角為120°。所述鋁基板包括鋁層、設置于鋁層上的絕緣層和設置于絕緣層上的銅層，所述***連接部與銅層焊接。本實用新型的igbt模塊，通過增大引腳與鋁基板的焊接面積，提高了引腳的焊接品質，提升了產品整體作業(yè)良率，確保產品的電性輸出。附圖說明本說明書包括以下附圖，所示內容分別是：圖1是本實用新型igbt模塊的結構示意圖。加工模塊品牌具有比較高功率密度和更多功能的高性能平板封裝器件、具有高性價比的晶閘管/二極管模塊。

雙向可控硅作用 有例如1、雙向可控硅在電路中的作用是：用于交流調壓或交流電子開關。2、雙向可控硅”是在普通可控硅的基礎上發(fā)展而成的，它不僅能代替兩只反極性并聯的可控硅，而且*需一個觸發(fā)電路，是比較理想的交流開關器件。其英文名稱TRIAC即三端雙向交流開關之意。3、可控硅的優(yōu)點很多，例如：以小功率控制大功率，功率放大倍數高達幾十萬倍；反應極快，在微秒級內開通、關斷；無觸點運行，無火花、無噪音；效率高，成本低等等。

西門康IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)結構和工作原理絕緣柵雙極型晶體管是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件，兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大；MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。西門康IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點，驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域二極管的伏安特性是指加在二極管兩端電壓和流過二極管的電流之間的關系。

    在它的柵極—發(fā)射極間施加十幾V的直流電壓，只有在uA級的漏電流流過，基本上不消耗功率。2IGBT模塊的選擇IGBT模塊的電壓規(guī)格與所使用裝置的輸入電源即試電電源電壓緊密相關。其相互關系見下表。使用中當IGBT模塊集電極電流增大時，所產生的額定損耗亦變大。同時，開關損耗增大，使原件發(fā)熱加劇，因此，選用IGBT模塊時額定電流應大于負載電流。特別是用作高頻開關時，由于開關損耗增大，發(fā)熱加劇，選用時應該降等使用。3使用中的注意事項由于IGBT模塊為MOSFET結構，IGBT的柵極通過一層氧化膜與發(fā)射極實現電隔離。由于此氧化膜很薄，其擊穿電壓一般達到20～30V。因此因靜電而導致柵極擊穿是IGBT失效的常見原因之一。因此使用中要注意以下幾點：在使用模塊時，盡量不要用手觸摸驅動端子部分，當必須要觸摸模塊端子時，要先將人體或衣服上的靜電用大電阻接地進行放電后，再觸摸；在用導電材料連接模塊驅動端子時，在配線未接好之前請先不要接上模塊；盡量在底板良好接地的情況下操作。在應用中有時雖然保證了柵極驅動電壓沒有超過柵極比較大額定電壓，但柵極連線的寄生電感和柵極與集電極間的電容耦合，也會產生使氧化層損壞的振蕩電壓。為此，通常采用雙絞線來傳送驅動信號。此外，IGBT模塊可以借助壓接引腳進行安裝，從而實現無焊料無鉛的功率模塊安裝。山東本地模塊

二極管的伏安特性是指加在二極管兩端電壓和流過二極管的電流之間的關系，用于定性描述這兩者關系的。出口模塊

    但過小會導致di/dt過大，產生較大的集電極電壓尖峰。因此對串聯電阻要根據具體設計要求***綜合考慮。柵極驅動電阻對驅動脈沖的波形也有影響。電阻值過小時會造成脈沖振蕩，過大時脈沖的前后沿會發(fā)生延遲或變緩。IGBT柵極輸入電容Cge隨著其額定容量的增加而增大。為了保持相同的脈沖前后沿速率，對于電流容量大的IGBT器件，應提供較大的前后沿充電電流。為此，柵極串聯的電阻的阻值應隨著IGBT電流容量的增大而減小。：⑴光耦驅動電路，光耦驅動電路是現代逆變器和變頻器設計時被***采用的一種電路，由于線路簡單，可靠性高，開關性能好，被許多逆變器和變頻器廠家所采用。由于驅動光耦的型號很多，所以選用的余地也很大。驅動光耦選用較多的主要有東芝的TLP系列，夏普的PC系列，惠普的HCLP系列等；⑵**集成塊驅動電路，主要有IR的IR2111，IR2112，IR2113等，三菱的EXB系列，M57959，M57962等。IGBT的驅動電路必須具備兩個功能：一是實現控制電路與被驅動IGBT的柵極隔離；二是提供合適的柵極驅動脈沖，實現電隔離可以采用脈沖變壓器、微分變壓器和光電耦合器。：一類是低倍數(～倍)的過載保護；一類是高倍數(8～10)的短路保護。對于過載保護不必快速反應，可采用集中式保護。出口模塊

江蘇芯鉆時代電子科技有限公司主要經營范圍是電子元器件，擁有一支專業(yè)技術團隊和良好的市場口碑。江蘇芯鉆時代致力于為客戶提供良好的IGBT模塊，可控硅晶閘管，二極管模塊，熔斷器，一切以用戶需求為中心，深受廣大客戶的歡迎。公司秉持誠信為本的經營理念，在電子元器件深耕多年，以技術為先導，以自主產品為重點，發(fā)揮人才優(yōu)勢，打造電子元器件良好品牌。在社會各界的鼎力支持下，持續(xù)創(chuàng)新，不斷鑄造高質量服務體驗，為客戶成功提供堅實有力的支持。