再用短路線將G與T1（或T2）短接一下后離開，如果結果同上，也證明雙向可控硅中的另一部分（其中的一個單向可控硅是好的。測試到止說明雙向可控硅整個都是好的，即在兩個方向（在不同極性的觸發電壓證）均能觸發導通。方法三：檢查觸發導通能力。如圖2所示．取一只10uF左右的電解電容器，將萬用表置于R&TImes;10k檔（V電壓），對電解電容器充電3~5s后用來代替圖1中的短路線，即利用電容器上所充的電壓作為觸發信號，然后再將萬用表置于R×10檔，照圖2（b）連接好后進行測試。測試時，電容C的極性可任意連接，同樣是碰觸一下后離開，觀察表頭指針偏轉情況，如果測試結果與“方法二’相同，就證明雙向可控硅是好的。雙向可控硅觸發電路雙向可控硅是一種功率半導體器件，也稱雙向晶閘管，在單片機控制系統中，可作為功率驅動器件，由于雙向可控硅沒有反向耐壓問題，控制電路簡單，因此特別適合做交流無觸點開關使用。雙向可控硅接通的一般都是一些功率較大的用電器，且連接在強電網絡中，其觸發電路的抗干擾問題很重要，通常都是通過光電耦合器將單片機控制系統中的觸發信號加載到可控硅的控制極。為減小驅動功率和可控硅觸發時產生的干擾。雙向可控硅的規格、型號、外形以及電極引腳排列依生產廠家不同而有所不同。山東哪里有英飛凌可控硅銷售廠家

    可控硅開關可控硅又叫晶閘管，是晶體閘流管(Thyristor)的簡稱，故稱可控硅，它是一種大功率開關型半導體器件，在電路中用文字符號為“V”、“VT”表示（舊標準中用字母“SCR”表示）。中文名可控硅開關外文名Thyristor別稱晶體閘流管性質大功率開關型半導體器件目錄1分類2特點及應用3鑒別硅電極4封裝形式品牌可控硅開關分類編輯按關斷、導通及控制方式分類可控硅按其關斷、導通及控制方式可分為普通可控硅、雙向可控硅、逆可控硅開關導可控硅、門極關斷可控硅（GTO）、BTG可控硅、溫控可控硅和光控可控硅等多種。[1]按引腳和極性分類可控硅按其引腳和極性可分為二極可控硅、三極可控硅和四極可控硅。[1]按封裝形式分類可控硅按其封裝形式可分為金屬封裝可控硅、塑封可控硅和陶瓷封裝可控硅三種類型。其中，金屬封裝可控硅又分為螺栓形、平板形、圓殼形等多種；塑封可控硅又分為帶散熱片型和不帶散熱片型兩種。[1]按電流容量分類可控硅按電流容量可分為大功率可控硅、率可控硅和小功率可控硅三種。通常，大功率可控硅多采用金屬殼封裝，而中、小功率可控硅則多采用塑封或陶瓷封裝。[1]按關斷速度分類可控硅按其關斷速度可分為普通可控硅和高頻（快速）可控硅。山東哪里有英飛凌可控硅銷售廠家可控硅從外形上分類主要有：螺栓形、平板形和平底形。

    可控硅基礎知識環昕微可控硅基礎知識，缺少一個價電子而在共價鍵中留下一個空穴。在P型半導體中空穴是多數載流子，它主要由摻雜形成；自由電子是少數載流子，由熱激發形成。空穴很容易俘獲電子，使雜質原子成為負離子。三價雜質因而也稱為受主雜質。，而多余的一個價電子因無共價鍵束縛而很容易形成自由電子。在N型半導體中自由電子是多數載流子，它主要由雜質原子提供；空穴是少數載流子,由熱激發形成。提供自由電子的五價雜質原子因帶正電荷而成為正離子，因此五價雜質原子也稱為施主雜質。在P型半導體和N型半導體結合后，由于N型區內電子很多而空穴很少，而P型區內空穴很多電子很少，在它們的交界處就出現了電子和空穴的濃度差別。這樣，電子和空穴都要從濃度高的地方向濃度低的地方擴散。于是，有一些電子要從N型區向P型區擴散，也有一些空穴要從P型區向N型區擴散。它們擴散的結果就使P區一邊失去空穴，留下了帶負電的雜質離子,N區一邊失去電子，留下了帶正電的雜質離子。半導體中的離子不能任意移動，因此不參與導電。這些不能移動的帶電粒子在P和N區交界面附近，形成了一個很薄的空間電荷區，就是所謂的PN結。4.單向可控硅介紹（1）4.單向可控硅介紹。

    1)當主電極T2對Tl所加的電壓為正向電壓，控制極G對一電極Tl所加的也是正向觸發信號（圖5a）。雙向可控硅觸發導通后，電流I2l的方向從T2流向T1。由特性曲線可知，這時雙向可控硅觸發導通規律是按第二象限的特性進行的，又因為觸發信號是正向的，所以把這種觸發叫做“一象限的正向觸發”或稱為I+觸發方式。(2)如果主電極T2仍加正向電壓，而把觸發信號改為反向信號(圖5b)，這時雙向可控硅觸發導通后，通態電流的方向仍然是從T2到T1。我們把這種觸發叫做“一象限的負觸發”或稱為I-觸發方式。(3)兩個主電極加上反向電壓U12(圖5c)，輸入正向觸發信號，雙向可控硅導通后，通態電流從T1流向T2。雙向可控硅按第三象限特性曲線工作，因此把這種觸發叫做Ⅲ+觸發方式。(4)兩個主電極仍然加反向電壓U12，輸入的是反向觸發信號(圖5d)，雙向可控硅導通后，通態電流仍從T1流向T2。這種觸發就叫做Ⅲ-觸發方式。雙向可控硅雖然有以上四種觸發方式，但由于負信號觸發所需要的觸發電壓和電流都比較小。工作比較可靠，因此在實際使用時，負觸發方式應用較多。可控硅特性編輯常用的有阻容移相橋觸發電路、單結晶體管觸發電路、晶體三極管觸發電路、利用小晶閘管觸發大晶閘管的觸發電路，等等。市場上常見的幾種塑封外形結構雙向可控硅的外形及電極引腳排列。

    它們的管芯都是由P型硅和N型硅組成的四層P1N1P2N2結構。見圖1。它有三個PN結（J1、J2、J3），從J1結構的P1層引出陽極A，從N2層引出陰級K，從P2層引出控制極G，所以它是一種四層三端的半導體器件。可控硅結構示意圖和符號圖可控硅工作原理編輯可控硅結構原件可控硅是P1N1P2N2四層三端結構元件，共有三個PN結，分析原理時，可以把它看作由一個PNP管和一個NPN管所組成，其等效圖解如右圖所示。雙向可控硅：雙向可控硅是一種硅可控整流器件，也稱作雙向晶閘管。這種器件在電路中能夠實現交流電的無觸點控制，以小電流控制大電流，具有無火花、動作快、壽命長、可靠性高以及簡化電路結構等優點。從外表上看，雙向可控硅和普通可控硅很相似，也有三個電極。但是，它除了其中一個電極G仍叫做控制極外，另外兩個電極通常卻不再叫做陽極和陰極，而統稱為主電極Tl和T2。它的符號也和普通可控硅不同，是把兩個可控硅反接在一起畫成的，如圖2所示。它的型號，在我國一般用“3CTS”或“KS”表示；國外的資料也有用“TRIAC”來表示的。雙向可控硅的規格、型號、外形以及電極引腳排列依生產廠家不同而有所不同，但其電極引腳多數是按T1、T2、G的顧序從左至右排列(觀察時，電極引腳向下。又因為晶閘管在靜止整流方面，所以又被稱之為硅可控整流元件，簡稱為可控硅SCR。山東哪里有英飛凌可控硅銷售廠家

晶閘管導通后，松開按鈕開關，去掉觸發電壓，仍然維持導通狀態。山東哪里有英飛凌可控硅銷售廠家

    但因TRIAC能雙向導通之故，在正負半周均能觸發、可作為全波功率控制之用，因此TRIAC除具有SCR的優點，更方便于交流功率控制，圖(a)為TRIAC相位控制電路，只適當的調整RC時間常數即可改變它的激發角，圖(b)，(c)分別是激發角為30度時的VT1-T2及負載的電壓波形，一般TRIAC所能控制的負載遠比SCR小，大體上而言約在600V，40A以下。15.可控硅特性1）靜態的伏安特性第I象限的是正向特性有阻斷狀態和導通狀態之分。在正向阻斷狀態時，可控硅的伏安特性是一組隨門極電流的增加而不同的曲線簇。當IG足夠大時，可控硅的正向轉折電壓很小，可以看成與一般二極管一樣。第III象限的是反向特性可控硅的反向特性與一般二極管的反向特性相似。IG=0時，器件兩端施加正向電壓，為正向阻斷狀態，只有很小的正向漏電流流過，正向電壓超過臨界極限即正向轉折電壓Ubo，則漏電流急劇增大，器件開通隨著門極電流幅值的增大，正向轉折電壓降低導通后的可控硅特性和二極管的正向特性相仿可控硅本身的壓降很小，在1V左右導通期間，如果門極電流為零，并且陽極電流降至接近于零的某一數值IH以下，則可控硅又回到正向阻斷狀態。IH稱為維持電流。可控硅上施加反向電壓時。山東哪里有英飛凌可控硅銷售廠家