由形成于半導體襯底表面的一導電類型輕摻雜區(qū)組成。第二導電類型摻雜的阱區(qū)，形成于所述漂移區(qū)表面。在所述漂移區(qū)的底部表面形成有由第二導電類重摻雜區(qū)組成的集電區(qū)。電荷存儲層，所述電荷存儲層形成于所述漂移區(qū)的頂部區(qū)域且位于所述漂移區(qū)和所述阱區(qū)交界面的底部，所述電荷存儲層具有一導電類重摻雜；所述電荷存儲層用于阻擋第二導電類載流子從所述漂移區(qū)中進入到所述阱區(qū)中。多個溝槽，各所述溝槽穿過所述阱區(qū)和所述電荷存儲層且各所述溝槽的進入到所述漂移區(qū)中；一個所述igbt器件的單元結(jié)構中包括一個柵極結(jié)構以及形成于所述柵極結(jié)構兩側(cè)的第二屏蔽電極結(jié)構，在所述柵極結(jié)構的每一側(cè)包括至少一個所述第二屏蔽電極結(jié)構。所述柵極結(jié)構包括形成于一個對應的所述溝槽中的一屏蔽多晶硅和多晶硅柵的疊加結(jié)構，所述一屏蔽多晶硅組成一屏蔽電極結(jié)構。所述多晶硅柵位于所述一屏蔽多晶硅的頂部，所述一屏蔽多晶硅和對應的所述溝槽的底部表面和側(cè)面之間通過一屏蔽介質(zhì)層隔離，所述一屏蔽多晶硅和所述多晶硅柵之間通過多晶硅間介質(zhì)層隔離，所述多晶硅柵和所述溝槽的側(cè)面之間通過柵介質(zhì)層隔離。所述第二屏蔽電極結(jié)構由填充于所述柵極結(jié)構兩側(cè)的所述溝槽中的第二屏蔽多晶硅組成。IGBT的開關作用是通過加正向柵極電壓形成溝道，給PNP(原來為NPN)晶體管提供基極電流，使IGBT導通。上海貿(mào)易Mitsubishi三菱IGBT模塊銷售廠

    igbt簡介IGBT（InsulatedGateBipolarTransistor），絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場效應管）組成的復合全控型電壓驅(qū)動式功率半導體器件，兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動電流較大；MOSFET驅(qū)動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點，驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。IGBT模塊IGBT模塊是由IGBT（絕緣柵雙極型晶體管芯片）與FWD（續(xù)流二極管芯片）通過特定的電路橋接封裝而成的模塊化半導體產(chǎn)品；封裝后的IGBT模塊直接應用于變頻器、UPS不間斷電源等設備上。IGBT模塊特點IGBT模塊具有節(jié)能、安裝維修方便、散熱穩(wěn)定等特點；當前市場上銷售的多為此類模塊化產(chǎn)品，一般所說的IGBT也指IGBT模塊；隨著節(jié)能環(huán)保等理念的推進，此類產(chǎn)品在市場上將越來越多見。IGBT結(jié)構上圖所示為一個N溝道增強型絕緣柵雙極晶體管結(jié)構，N+區(qū)稱為源區(qū)，附于其上的電極稱為源極（即發(fā)射極E）。N基極稱為漏區(qū)。器件的控制區(qū)為柵區(qū)，附于其上的電極稱為柵極（即門極G）。上海貿(mào)易Mitsubishi三菱IGBT模塊銷售廠開關頻率比較大的IGBT型號是S4，可以使用到30KHz的開關頻率。

    所述電荷存儲層14用于阻擋第二導電類載流子從所述漂移區(qū)1中進入到所述阱區(qū)2中。多個溝槽101，各所述溝槽101穿過所述阱區(qū)2和所述電荷存儲層14且各所述溝槽101的進入到所述漂移區(qū)1中；一個所述igbt器件的單元結(jié)構中包括一個柵極結(jié)構以及形成于所述柵極結(jié)構兩側(cè)的第二屏蔽電極結(jié)構，在所述柵極結(jié)構的每一側(cè)包括至少一個所述第二屏蔽電極結(jié)構。所述柵極結(jié)構包括形成于一個對應的所述溝槽101中的一屏蔽多晶硅4a和多晶硅柵6的疊加結(jié)構，所述一屏蔽多晶硅4a組成一屏蔽電極結(jié)構。所述多晶硅柵6位于所述一屏蔽多晶硅4a的頂部，所述一屏蔽多晶硅4a和對應的所述溝槽101的底部表面和側(cè)面之間通過一屏蔽介質(zhì)層3a隔離3a，所述一屏蔽多晶硅4a和所述多晶硅柵6之間通過多晶硅間介質(zhì)層5a隔離，所述多晶硅柵6和所述溝槽101的側(cè)面之間通過柵介質(zhì)層5隔離。所述第二屏蔽電極結(jié)構由填充于所述柵極結(jié)構兩側(cè)的所述溝槽101中的第二屏蔽多晶硅4b組成。所述第二屏蔽多晶硅4b和對應的所述溝槽101的底部表面和側(cè)面之間通過第二屏蔽介質(zhì)層3b隔離。所述一屏蔽介質(zhì)層3a和所述第二屏蔽介質(zhì)層3b的工藝條件相同且同時形成，所述一屏蔽多晶硅4a和所述第二屏蔽多晶硅4b的工藝條件相同且同時形成。

    晶閘管的正向漏電流比一般硅二極管反向漏電流大，且隨著管子正向陽極電壓升高而增大。當陽極電壓升到足夠大時，會使晶閘管導通，稱為正向轉(zhuǎn)折或“硬開通”。多次硬開通會損壞管子。2．晶閘管加上正向陽極電壓后，還必須加上觸發(fā)電壓，并產(chǎn)生足夠的觸發(fā)電流，才能使晶閘管從阻斷轉(zhuǎn)為導通。觸發(fā)電流不夠時，管子不會導通，但此時正向漏電流隨著增大而增大。晶閘管只能穩(wěn)定工作在關斷和導通兩個狀態(tài)，沒有中間狀態(tài)，具有雙穩(wěn)開關特性。是一種理想的無觸點功率開關元件。3．晶閘管一旦觸發(fā)導通，門極完全失去控制作用。要關斷晶閘管，必須使陽極電流《維持電流，對于電阻負載，只要使管子陽極電壓降為零即可。為了保證晶閘管可靠迅速關斷，通常在管子陽極電壓互降為零后，加上一定時間的反向電壓。晶閘管主要特性參數(shù)1．正反向重復峰值電壓——額定電壓（VDRM、VRRM取其小者）2．額定通態(tài)平均電流IT（AV）——額定電流（正弦半波平均值）3．門極觸發(fā)電流IGT，門極觸發(fā)電壓UGT，（受溫度變化）4．通態(tài)平均電壓UT（AV）即管壓降5．維持電流IH與掣住電流IL6．開通與關斷時間晶閘管合格證基本參數(shù)IT（AV）=A。動態(tài)特性又稱開關特性，IGBT的開關特性分為兩大部分。

    令各所述第二屏蔽多晶硅4b頂部對應的接觸孔為屏蔽接觸孔。在各所述單元結(jié)構中，所述源極接觸孔11和各所述屏蔽接觸孔連接成一個整體結(jié)構。通過對所述接觸孔的結(jié)構進行更改就能得到圖2所示的本發(fā)明第二實施例器件的結(jié)構，即：在各所述單元結(jié)構中，所述源極接觸孔11和鄰近的一個所述屏蔽接觸孔合并成一個接觸孔，鄰近的所述屏蔽接觸孔外側(cè)的所述屏蔽接觸孔呈結(jié)構。本發(fā)明一實施例方法中，所述igbt器件為n型器件，一導電類型為n型，第二導電類型為p型。在其他實施例方法中也能為：所述igbt器件為p型器件，一導電類型為p型，第二導電類型為n型。以上通過具體實施例對本發(fā)明進行了詳細的說明，但這些并非構成對本發(fā)明的限制。在不脫離本發(fā)明原理的情況下，本領域的技術人員還可做出許多變形和改進，這些也應視為本發(fā)明的保護范圍。電動汽車概念也火的一塌糊涂，三菱推出了650V等級的IGBT，專門用于電動汽車行業(yè)。北京貿(mào)易Mitsubishi三菱IGBT模塊銷售廠

反之，加反向門極電壓消除溝道，切斷基極電流，使IGBT關斷。上海貿(mào)易Mitsubishi三菱IGBT模塊銷售廠

    同一代技術中通態(tài)損耗與開關損耗兩者相互矛盾,互為消長。IGBT模塊按封裝工藝來看主要可分為焊接式與壓接式兩類。高壓IGBT模塊一般以標準焊接式封裝為主，中低壓IGBT模塊則出現(xiàn)了很多新技術，如燒結(jié)取代焊接，壓力接觸取代引線鍵合的壓接式封裝工藝。隨著IGBT芯片技術的不斷發(fā)展，芯片的高工作結(jié)溫與功率密度不斷提高，IGBT模塊技術也要與之相適應。未來IGBT模塊技術將圍繞芯片背面焊接固定與正面電極互連兩方面改進。模塊技術發(fā)展趨勢：無焊接、無引線鍵合及無襯板/基板封裝技術；內(nèi)部集成溫度傳感器、電流傳感器及驅(qū)動電路等功能元件，不斷提高IGBT模塊的功率密度、集成度及智能度。IGBT的主要應用領域作為新型功率半導體器件的主流器件，IGBT已廣泛應用于工業(yè)、4C(通信、計算機、消費電子、汽車電子)、航空航天等傳統(tǒng)產(chǎn)業(yè)領域，以及軌道交通、新能源、智能電網(wǎng)、新能源汽車等戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)領域。1）新能源汽車IGBT模塊在電動汽車中發(fā)揮著至關重要的作用，是電動汽車及充電樁等設備的技術部件。IGBT模塊占電動汽車成本將近10%，占充電樁成本約20%。IGBT主要應用于電動汽車領域中以下幾個方面：A）電動控制系統(tǒng)大功率直流/交流(DC/AC)逆變后驅(qū)動汽車電機。上海貿(mào)易Mitsubishi三菱IGBT模塊銷售廠