在所述柵極結構的每一側包括二個所述第二屏蔽電極結構，在其他實施例中，也能改變所述柵極結構和對應的所述第二屏蔽電極結構的數量和位置。所述溝槽101的步進為1微米～3微米，所述溝槽101的步進如圖3a中的d1所示。在所述漂移區1和所述集電區9之間形成有由一導電類型重摻雜區組成的電場中止層8。本發明一實施例中，所述igbt器件為n型器件，一導電類型為n型，第二導電類型為p型。在其他實施例中也能為：所述igbt器件為p型器件，一導電類型為p型，第二導電類型為n型。本發明一實施例具有如下有益技術效果：1、本發明一實施例對器件單元結構中的柵極結構的屏蔽結構做了特別的設置，在柵極結構的兩側設置有形成于溝槽101中的屏蔽電極結構即第二屏蔽電極結構，再加上形成于柵極結構的溝槽101底部的一屏蔽電極結構，一起作用柵極結構的屏蔽電極，這種屏蔽電極結構由于是通過溝槽101填充形成，有利于縮小器件的溝槽101的步進，較小的溝槽101步進能從而降低igbt器件的輸入電容、輸出電容和逆導電容，提高器件的開關速度；2、本發明一實施例同時還將一屏蔽電極結構對應的一屏蔽多晶硅4a和第二屏蔽電極結構對應的第二屏蔽多晶硅4b都通過接觸孔連接到金屬源極，實現和發射區的短接。IGBT是將強電流、高壓應用和快速終端設備用垂直功率MOSFET的自然進化。江西貿易Mitsubishi三菱IGBT模塊現貨

    IGBT模塊是由IGBT（絕緣柵雙極型晶體管芯片）與FWD（續流二極管芯片）通過特定的電路橋接封裝而成的模塊化半導體產品；封裝后的IGBT模塊直接應用于變頻器、UPS不間斷電源等設備上；IGBT模塊具有節能、安裝維修方便、散熱穩定等特點；當前市場上銷售的多為此類模塊化產品，一般所說的IGBT也指IGBT模塊；隨著節能環保等理念的推進，此類產品在市場上將越來越多見。IGBT模塊連接圖IGBT模塊的安裝：為了使接觸熱阻變小，推薦在散熱器與IGBT模塊的安裝面之間涂敷散熱絕緣混合劑。涂敷散熱絕緣混合劑時，在散熱器或IGBT模塊的金屬基板面上涂敷。如圖1所示。隨著IGBT模塊與散熱器通過螺釘夾緊，散熱絕緣混合劑就散開，使IGBT模塊與散熱器均一接觸。上圖：兩點安裝型模塊下圖：一點安裝型模塊圖1散熱絕緣混合劑的涂敷方法涂敷同等厚度的導熱膏（特別是涂敷厚度較厚的情況下）可使無銅底板的模塊比有銅底板散熱的模塊的發熱更嚴重，引至模塊的結溫超出模塊的安全工作的結溫上限（Tj《125℃或125℃）。因為散熱器表面不平整所引起的導熱膏的厚度增加，會增大接觸熱阻，從而減慢熱量的擴散速度。IGBT模塊安裝時，螺釘的夾緊方法如圖2所示。另外，螺釘應以推薦的夾緊力矩范圍予以夾緊。江西貿易Mitsubishi三菱IGBT模塊現貨動態特性又稱開關特性，IGBT的開關特性分為兩大部分。

    這樣能降低柵電容，增強器件短路電流的能力，提高器件的抗沖擊能力。3、本發明一實施例還設置了電荷存儲層14，電荷存儲層14結合第二屏蔽電極結構能更好的防止集電區9注入的少子進入到溝道區域中，從而能降低降低器件的飽和壓降。本發明第二實施例igbt器件：如圖2所示，是本發明實施例第二實施例igbt器件的結構示意圖，本發明第二實施例igbt器件包括：本發明第二實施例器件和本發明一實施例器件的區別之處為，本發明第二實施例器件中，在各所述單元結構中，所述源極接觸孔11和鄰近的一個所述屏蔽接觸孔合并成一個接觸孔，鄰近的所述屏蔽接觸孔外側的所述屏蔽接觸孔11a呈結構。本發明一實施例方法：如圖3a至圖3g所示，是本發明一實施例方法各步驟中器件的結構示意圖，本發明一實施例igbt器件的制造方法包括如下步驟：步驟一、如圖3a所示，提供一半導體襯底，在所述半導體襯底表面形成由一導電類型輕摻雜區組成的漂移區1。所述半導體襯底為硅襯底。在所述硅襯底表面形成有硅外延層，所述漂移區1直接由一導電類型輕摻雜的所述硅外延層組成，所述阱區2形成于所述漂移區1表面的所述硅外延層中。步驟二、如圖3a所示，在所述半導體襯底中形成多個溝槽101。

    脈沖的幅值與柵驅動電路阻抗和dV/dt的實際數值有直接關系。IGBT本身的設計對減小C和C的比例非常重要，它可因此減小dV/dt感生電壓幅值。如果dV/dt感生電壓峰值超過IGBT的閥值，Q1產生集電極電流并產生很大的損耗，因為此時集電極到發射極的電壓很高。為了減小dV/dt感生電流和防止器件開通，可采取以下措施：關斷時采用柵極負偏置，可防止電壓峰值超過V，但問題是驅動電路會更復雜。減小IGBT的CGC寄生電容和多晶硅電阻Rg’。減小本征JFET的影響圖3給出了為反向偏置關斷而設計的典型IGBT電容曲線。CRES曲線（及其他曲線）表明一個特性，電容一直保持在較高水平，直到V接近15V，然后才下降到較低值。如果減小或消除這種“高原”(plateau)特性，C的實際值就可以進一步減小。這種現象是由IGBT內部的本征JFET引起的。如果JFET的影響可小化，C和C可隨著VCE的提高而很快下降。這可能減小實際的CRES，即減小dV/dt感生開通對IGBT的影響。圖3需負偏置關斷的典型IGBT的寄生電容與V的關系。IRGP30B120KD-E是一個備較小C和經改良JFET的典型IGBT。這是一個1200V，30ANPTIGBT。它是一個Co-Pack器件，與一個反并聯超快軟恢復二極管共同配置于TO-247封裝。設計人員可減小多晶體柵極寬度。IGBT的開關速度低于MOSFET，但明顯高于GTR。

    3、本發明還設置了電荷存儲層，電荷存儲層結合第二屏蔽電極結構能更好的防止集電區注入的少子進入到溝道區域中，從而能降低降低器件的飽和壓降。附圖說明下面結合附圖和具體實施方式對本發明作進一步詳細的說明：圖1是本發明實施例一實施例igbt器件的結構示意圖；圖2是本發明實施例第二實施例igbt器件的結構示意圖；圖3a-圖3g是本發明一實施例方法各步驟中器件的結構示意圖。具體實施方式本發明實施例一實施例igbt器件：如圖1所示，是本發明實施例一實施例igbt器件的結構示意圖，本發明一實施例igbt器件包括：漂移區1，由形成于半導體襯底(未顯示)表面的一導電類型輕摻雜區組成。本發明實施例一實施例中，所述半導體襯底為硅襯底；在所述硅襯底表面形成有硅外延層，所述漂移區1直接由一導電類型輕摻雜的所述硅外延層組成，所述阱區2形成于所述漂移區1表面的所述硅外延層中。第二導電類型摻雜的阱區2，形成于所述漂移區1表面。在所述漂移區1的底部表面形成有由第二導電類重摻雜區組成的集電區9。電荷存儲層14，所述電荷存儲層14形成于所述漂移區1的頂部區域且位于所述漂移區1和所述阱區2交界面的底部，所述電荷存儲層14具有一導電類重摻雜。三菱的IGBT，除了電動汽車用的650V以外，都是工業等級的。安徽加工Mitsubishi三菱IGBT模塊銷售價格

IGBT的開關作用是通過加正向柵極電壓形成溝道，給PNP(原來為NPN)晶體管提供基極電流，使IGBT導通。江西貿易Mitsubishi三菱IGBT模塊現貨

    對等效MOSFET的控制能力降低，通常還會引起器件擊穿問題。晶閘管導通現象被稱為IGBT閂鎖，具體地說，這種缺陷的原因互不相同，與器件的狀態有密切關系。通常情況下，靜態和動態閂鎖有如下主要區別：當晶閘管全部導通時，靜態閂鎖出現，只在關斷時才會出現動態閂鎖。這一特殊現象嚴重地限制了安全操作區。為防止寄生NPN和PNP晶體管的有害現象，有必要采取以下措施：防止NPN部分接通，分別改變布局和摻雜級別，降低NPN和PNP晶體管的總電流增益。此外，閂鎖電流對PNP和NPN器件的電流增益有一定的影響，因此，它與結溫的關系也非常密切；在結溫和增益提高的情況下，P基區的電阻率會升高，破壞了整體特性。因此，器件制造商必須注意將集電極大電流值與閂鎖電流之間保持一定的比例，通常比例為1：5。IGBT模塊五種不同的內部結構和電路圖1.單管模塊，1in1模塊單管模塊的內部由若干個IGBT并聯，以達到所需要的電流規格，可以視為大電流規格的IGBT單管。受機械強度和熱阻的限制，IGBT的管芯面積不能做得，電流規格的IGBT需要將多個管芯裝配到一塊金屬基板上。單管模塊外部標簽上的等效電路如圖1所示，副發射極（第二發射極）連接到柵極驅動電路，主發射極連接到主電路中。圖1單管。江西貿易Mitsubishi三菱IGBT模塊現貨