這個話題的起因，是神八兄送了我幾個大電流IGBT模塊，有150A的，也有300A的，據說功率分別可以做到10KW和20KW以上，也是擋不住的誘惑，決定來試一試。但首先必須做一塊能驅動這些大家伙的驅動電路板。經和神八兄多次商量后，決定還是用EG8010芯片，理由是：這款SPWM芯片價格便宜，功能很多，性能比較好，特別穩壓特性很好。但是，用8010來驅動IGBT模塊，也有二個問題需要解決：***個問題：8010的**大死區時間只有，而這些大模塊，因為輸入電容比較大，需要有比較大的死區時間，有時可能要放大到3US以上，才能安全工作。為了解決這個問題，我把8010的輸出接法做了較大的改進，先把8010輸出的4路用與門合并成2路，做成象張工的22851093這樣的時序，再把二路SPWM分成4路，用與非門做成硬件死區電路，這樣，死區時間就不受8010內建死區的限止了，可以隨意做到幾US。這樣的接法，還有一個**的好處，就是H橋的4個管子功耗是平均的，不會出現半橋熱半橋冷的現象。第二個問題：因為IGBT模塊的工作頻率都比較低，一般要求在20K以下，但8010的載波頻率比較高，神八兄經過實險和計算，決定用下面方式來解決，把原先8010用的12M晶振，改為10M晶振，這樣，載頻就降到。本產品均采用全數字移相觸發集成電路，實現了控制電路和晶閘管主電路集成一體化。福建模塊值得推薦

    但輸出基頻就不到50HZ了，再把8010的18腳接高電平，也就是接成原60HZ的形式，這時實際輸出就為50HZ了。這個方法，得到了屹晶公司許工的認可。經過和神八兄多次的策劃，大約花了一個月左右的“空閑”時間，我終于做出了***塊驅動板，見下面的圖片，板子還是比較大的，長16CM，寬。這塊驅動板元器件特別多，有280個左右的元件。所以，畫PCB和裝樣板，頗費了一番周折。因為，一般大功率的機器，前級和后級可能是分離的，對于后級來講，一般是接入360V左右的高壓，就要能工作，所以，這個驅動卡的輔助電源是高壓輸入的，我用了一塊PI公司的TNY277的IC，電路比較簡單，但輸出路數很多，有5路，都是互相隔離的。因功率不大，可以用EE20EFD20等磁芯，但這類磁芯，找不到與它匹配的腳位有6+6以上的骨架，所以，只得用了EI28磁芯，用了11+11的骨架。下圖是輔助電源部分的電路和TNY277的D極波形。下面是這款驅動卡聯上300A模塊的圖片，四路輸出的圖騰管是用D1804和B1204，輸出電流8A，在連上300A模塊時，G極上升時間約為380NS左右(G極電阻10R)，不算很快，但也不算特別慢了。我在模塊上接入30V的母線電壓，輸出的正弦波如下圖，可見，設計上沒有明顯的錯誤，時序也是對的。現在。西藏模塊檢測從晶閘管的電路符號〔圖2(b）〕可以看到，它和二極管一樣是一種單方向導電的器件。

    二）按引腳和極性分類晶體閘流管晶閘管按其引腳和極性可分為二極晶閘管、三極晶閘管和四極晶閘管。（三）按封裝形式分類晶閘管按其封裝形式可分為金屬封裝晶閘管、塑封晶閘管和陶瓷封裝晶閘管三種類型。其中，金屬封裝晶閘管又分為螺栓形、平板形、圓殼形等多種；塑封晶閘管又分為帶散熱片型和不帶散熱片型兩種。（四）按電流容量分類晶閘管按電流容量可分為大功率晶閘管、**率晶閘管和小功率晶閘管三種。通常，大功率晶閘管多采用金屬殼封裝，而中、小功率晶閘管則多采用塑封或陶瓷封裝。（五）按關斷速度分類晶閘管按其關斷速度可分為普通晶閘管和高頻（快速）晶閘管。晶體閘流管工作原理編輯晶閘管T在工作過程中，它的陽極A和陰極K與電源和負載連接，組成晶閘管的主電路，晶閘管的門極G和陰極K與控制晶閘管的裝置連接，組成晶閘管的控制電路。晶體閘流管工作條件編輯晶閘管的工作條件：1.晶閘管承受反向陽極電壓時，不管門極承受何種電壓，晶閘管都處于關斷狀態。2.晶閘管承受正向陽極電壓時，*在門極承受正向電壓的情況下晶閘管才導通。3.晶閘管在導通情況下，只要有一定的正向陽極電壓，不論門極電壓如何，晶閘管保持導通，即晶閘管導通后，門極失去作用。

    發射機的調制器往往只能采用剛性開關調制器。剛性開關調制器又稱剛管調制器,剛管調制器因其調制開關可受控主動關斷而得名。因此,采用這種調制器發射機脈寬可實現脈間變化。IGBT屬于場控功率管,具有開關速度快、管壓降小等特點,在剛管調制器中得到越來越***的應用,但其觸發電路設計以及單只IGBT有限的電壓和電流能力是其推廣應用的難點。方案采用IGD515EI,加入相應的外圍電路,構成了IGBT驅動電路,通過IGD515EI的34腳(SDSOA)多管聯用特性端實現兩管串聯應用,解決了IGBT單管耐壓不高的問題。IGBT驅動電路如圖1所示。驅動信號通過光纖接收器HFBR-2521送給驅動模塊,驅動模塊報故障時通過光纖發射器HFBR-1521送出故障信號給控制電路,由控制電路切斷所有IGBT驅動電路的驅動信號,各個IGD515EI同時輸出-15V的負偏壓,各個IGBT同時關斷,避免個別器件提前關斷,造成過壓擊穿。圖1IGBT驅動電路(VCC)和9腳(GND)接入+15V電源,由模塊內部通過DC/DC變換產生±15V和+5V輸出,為光纖發射器、接收器以及輸出電路提供電源。因而對每個處于高電位的驅動電路來說,只需提供一個15V電源即可,便于做到電位隔離。(G)輸出的驅動電壓為±12V~±15V,這取決于電源電壓;也可不產生負的柵極電壓。每個IGBT的額定電壓和電流分別為1.7kV和1.4kA。

    5）由硒堆及壓敏電阻等非線性元件組成吸收回路上述阻容吸收回路的時間常數RC是固定的，有時對時間短、峰值高、能量大的過電壓來不及放電，抑制過電壓的效果較差。因此，一般在變流裝置的進出線端還并有硒堆或壓敏電阻等非線性元件。硒堆的特點是其動作電壓和溫度有關，溫度越低耐壓越高；另外是硒堆具有自恢復特性，能多次使用，當過電壓動作后硒基片上的灼傷孔被溶化的硒重新覆蓋，又重新恢復其工作特性。壓敏電阻是以氧化鋅為基體的金屬氧化物非線性電阻，其結構為兩個電極，電極之間填充的粒徑為10~50μm的不規則的ZNO微結晶，結晶粒間是厚約1μm的氧化鉍粒界層。這個粒界層在正常電壓下呈高阻狀態，只有很小的漏電流，其值小于100μA。當加上電壓時，引起了電子雪崩，粒界層迅速變成低阻抗，電流迅速增加，泄漏了能量，抑制了過電壓，從而使晶閘管得到保護。浪涌過后，粒界層又恢復為高阻態。壓敏電阻的特性主要由下面幾個參數來表示。標稱電壓：指壓敏電阻流過1mA直流電流時，其兩端的電壓值。通流容量：是用前沿8微秒、波寬20微秒的波形沖擊電流，每隔5分鐘沖擊1次，共沖擊10次，標稱電壓變化在-10[[[%]]]以內的**大沖擊電流值來表示。裝配時切不可用手指直接接觸，直到g極管腳進行連接。山東模塊直銷價

可控硅(Silicon Controlled Rectifier) 簡稱SCR，是一種大功率電器元件，也稱晶閘管。福建模塊值得推薦

    數字隔離數字隔離+關注數字隔離技術常用于工業網絡環境的現場總線、***電子系統和航空航天電子設備中，尤其是一些應用環境比較惡劣的場合。數字隔離電路主要用于數字信號和開關量信號的傳輸。另一個重要原因是保護器件（或人）免受高電壓的危害。本文詳細介紹了數字隔離器工作原理及特點，選型及應用，各類數字隔離器件性能比較等內容。硬件工程師硬件工程師+關注硬件工程師HardwareEngineer職位要求熟悉計算機市場行情；制定計算機組裝計劃；能夠選購組裝需要的硬件設備，并能合理配置、安裝計算機和**設備；安裝和配置計算機軟件系統；保養硬件和**設備；清晰描述出現的計算機軟硬件故障。循跡小車循跡小車+關注做單片機的工程師相比都堆循跡小車有所認識，它是自動引導機器人系統的基本應用，那么***小編就給大家介紹下自動自動循跡小車的原理，智能循跡小車的應用，智能循跡小車程序，循跡小車用途等知識吧！MPU6050MPU6050+關注MPU-6000（6050）為全球首例整合性6軸運動處理組件，相較于多組件方案，免除了組合陀螺儀與加速器時間軸之差的問題，減少了大量的封裝空間。K60K60+關注wifi模塊wifi模塊+關注Wi-Fi模塊又名串口Wi-Fi模塊，屬于物聯網傳輸層。福建模塊值得推薦