如何測試DDR？

DDR測試有具有不同要求的兩個方面：芯片級測試DDR芯片測試既在初期晶片階段也在封裝階段進行。采用的測試儀通常是內存自動測試設備，其價值一般在數百萬美元以上。測試儀的部分是一臺可編程的高分辨信號發生器。測試工程師通過編程來模擬實際工作環境；另外，他也可以對計時脈沖邊沿前后進行微調來尋找平衡點。自動測試儀（ATE）系統也存在缺陷。它產生的任意波形數量受制于其本身的后備映象隨機內存和算法生成程序。由于映象隨機內存深度的局限性，使波形只能在自己的循環內重復。因為DDR帶寬和速度是普通SDR的二倍，所以波形變化也應是其二倍。因此，測試儀的映象隨機內存容量會很快被消耗殆盡。為此，要保證一定的測試分辨率，就必須增大測試儀的內存。建立測試頭也是一個棘手的問題。因為DDR內存的數據讀取窗口有1—2ns，所以管腳驅動器的上升和下降時間非常關鍵。為保證在數據眼中心進行信號轉換，需要較好的管腳驅動器轉向速度。在頻率為266MHz時，開始出現傳輸線反射。設計工程師發現在設計測試平臺時必須遵循直線律。為保證信號的統一性，必須對測試頭布局進行傳輸線模擬。管腳驅動器強度必須能比較大限度降低高頻信號反射。 DDR3關于信號建立保持是的定義；河北DDR測試維修

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DDRSDRAM即我們通常所說的DDR內存，DDR內存的發展已經經歷了五代，目前DDR4已經成為市場的主流，DDR5也開始進入市場。對于DDR總線來說，我們通常說的速率是指其數據線上信號的快跳變速率。比如3200MT/s,對應的工作時鐘速率是1600MHz。3200MT/s只是指理想情況下每根數據線上比較高傳輸速率，由于在DDR總線上會有讀寫間的狀態轉換時間、高阻態時間、總線刷新時間等，因此其實際的總線傳輸速率達不到這個理想值。

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地址：深圳市南山區南頭街道中祥路8號君翔達大廈A棟2樓H區 數字信號DDR測試推薦貨源不同種類的DDR協議測試探頭；

7.時序對于時序的計算和分析在一些相關文獻里有詳細的介紹，下面列出需要設置和分析的8個方面：1）寫建立分析：DQvs.DQS2）寫保持分析：DQvs.DQS3）讀建立分析：DQvs.DQS4）讀保持分析：DQvs.DQS5）寫建立分析：DQSvs.CLK6）寫保持分析：DQSvs.CLK7）寫建立分析：ADDR/CMD/CNTRLvs.CLK8）寫保持分析：ADDR/CMD/CNTRLvs.CLK

一個針對寫建立（WriteSetup）分析的例子。表中的一些數據需要從控制器和存儲器廠家獲取，段”Interconnect”的數據是取之于SI仿真工具。對于DDR2上面所有的8項都是需要分析的，而對于DDR3，5項和6項不需要考慮。在PCB設計時，長度方面的容差必須要保證totalmargin是正的。

現做一個測試電路，類似于圖5，驅動源是一個線性的60Ohms阻抗輸出的梯形信號，信號的上升沿和下降沿均為100ps，幅值為1V。此信號源按照圖6的三種方式，且其端接一60Ohms的負載，其激勵為一800MHz的周期信號。在0.5V這一點，我們觀察從信號源到接收端之間的時間延遲，顯示出來它們之間的時延差異。其結果如圖7所示，在圖中只顯示了信號的上升沿，從這圖中可以很明顯的看出，帶有四個地過孔環繞的過孔時延同直線相比只有3ps，而在沒有地過孔環繞的情況下，其時延是8ps。由此可知，在信號過孔的周圍增加地過孔的密度是有幫助的。然而，在4層板的PCB里，這個就顯得不是完全的可行性，由于其信號線是靠近電源平面的，這就使得信號的返回路徑是由它們之間的耦合程度來決定的。所以，在4層的PCB設計時，為符合電源完整性（powerintegrity）要求，對其耦合程度的控制是相當重要的。DDR3信號質量自動測試軟件；

1.目前，比較普遍使用中的DDR2的速度已經高達800Mbps，甚至更高的速度，如1066Mbps，而DDR3的速度已經高達1600Mbps。對于如此高的速度，從PCB的設計角度來幫大家分析，要做到嚴格的時序匹配，以滿足信號的完整性，這里有很多的因素需要考慮，所有的這些因素都有可能相互影響。它們可以被分類為PCB疊層、阻抗、互聯拓撲、時延匹配、串擾、信號及電源完整性和時序，目前，有很多EDA工具可以對它們進行很好的計算和仿真，其中CadenceALLEGROSI-230和Ansoft’sHFSS使用的比較多。顯示了DDR2和DDR3所具有的共有技術要求和專有的技術要求DDR的信號測試和協議測試；河北DDR測試維修

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DDR內存的典型使用方式有兩種：一種是在嵌入式系統中直接使用DDR顆粒，另一種是做成DIMM條(DualIn-lineMemoryModule,雙列直插內存模塊，主要用于服務器和PC)或SO-DIMM(SmallOutlineDIMM,小尺寸雙列直插內存，主要用于筆記本)的形式插在主板上使用。在服務器領域，使用的內存條主要有UDIMM、RDIMM、LRDIMM等。UDIMM(UnbufferedDIMM,非緩沖雙列直插內存)沒有額外驅動電路，延時較小，但數據從CPU傳到每個內存顆粒時，UDIMM需要保證CPU到每個內存顆粒之間的傳輸距離相等，設計難度較大，因此UDIMM在容量和頻率上都較低，通常應用在性能/容量要求不高的場合。 河北DDR測試維修

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