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南京XBM3360賽芯內置均衡 內置MOS 2節鋰保

來源: 發布時間:2025-03-27

    在當今快節奏的生活中,移動電源成為了我們不可或缺的電子設備。芯納推出的移動電源SOC更是為我們帶來了全新的體驗。移動電源SOC(SystemonChip,系統級芯片)是一種高度集成的芯片,用于移動電源中。它集成了多種功能模塊,包括同步開關升降壓變換器、電池充放電管理模塊、電量計算模塊、顯示模塊、協議模塊等。高集成度:將多個功能模塊集成在一個芯片上,減少了外部元器件的使用,簡化了移動電源的設計。多協議雙向快充:支持多種充電協議,能夠實現充電和雙向充電功能,提高充電效率。電池管理:負責電池的充放電管理,包括過充、過放保護,延長電池壽命。電量計算和顯示:準確計算電池電量,并通過顯示模塊向用戶展示電量信息。保護功能:提供輸入/輸出的過壓/欠壓保護、NTC過溫保護、放電過流保護、輸出短路保護等,確保移動電源和連接設備的安全。芯納科技專注代理電源芯片和電子元器件12年。提供的產品和方案包括:移動電源SOC、多口快充SOC、快充充電管理SOC、電源管理芯片、鋰電池充電管理、鋰電保護、DC轉換器、MOS等。致力于為合作伙伴帶來增值,為客戶的成長與發展竭誠服務,當好供求間之橋梁,謀求產業鏈的共同發展! 太陽能充電管理方案芯片。南京XBM3360賽芯內置均衡 內置MOS 2節鋰保

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    二級保護電路應用場景二級保護電路通常指的是在電子設備中用于防止電壓過高或其他異常情況導致設備損壞的電路。以下是二級保護電路的一些常見應用場景:1.電力系統在電力系統中,過壓保護電路是至關重要的。當電網中的電壓突然增加時,過壓保護電路可以保護發電機、變壓器和其他關鍵設備免受過高電壓的損害1。2.各種電子設備過壓保護電路可以用于保護各種電子設備,如計算機、電話、電視和音頻設備等,免受由于電壓波動引起的損壞1。3.交通系統在交通系統中,過壓保護電路可以保護號燈、電動汽車充電設備和其他交通設施免受供電電壓突然升高的損害1。4.工業系統在工業系統中,過壓保護電路可以在設備中使用,以保護關鍵部件和設備免受電壓波動和過高電壓的損害1。5.通信系統在通信系統中。 無錫XBM3204JFG賽芯代理節鋰電保護芯片(三元/磷酸鐵鋰)XBM5244 均衡,推挽,充電過流檢測.3-4串XBM4X30 開漏。

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XBM2138QFA    兩串鋰電池保護芯片介紹  35W以內      XBM2138QFA    2串鋰保集成MOS     內置均衡   :對兩節節串聯可再充電鋰離子/鋰聚合物電池的過充電、過放電和過電流進行保護,同時具備電池反接保護功能,這些功能對于鋰電池的安全使用極其重要3。過電流保護閾值調節:保護芯片功能基本保護功能:對兩節節串聯可再充電鋰離子/鋰聚合物電池的過充電、過放電和過電流進行保護,同時具備電池反接保護功能,這些功能對于鋰電池的安全使用極其重要3。過電流保護閾值調節 ,可組成一個充放電工作的電路。若再加上鋰電池輸出電路,鋰電池就可以實現邊充邊放的功能

    3或4串電池組的二級保護芯片主要描述XBM4X30系列產品內置高精度的電壓檢測電路和延遲電路,是一款用于可充電電池組的二級保護芯片,通過檢測電池包中每一節電芯的電壓,為電池包提供過充電保護和過放保護1。功能特點高精度電池電壓檢測功能:過充電檢測電壓-(步進50mV),精度±25mV;過充電電壓0-(步進50mV),精度±50mV;過放電檢測電壓-(步進100mV),精度±80mV;過放電電壓0V-(步進100mV),精度±100mV1。保護延時內置可選:可根據不同應用場景選擇合適的保護延時1。內置斷線保護功能(可選):增加了電池使用的安全性1。輸出方式可選:有CMOS輸出、N溝道開路漏級輸出、P溝道開路漏級輸出三種方式1。輸出邏輯可選:動態輸出H、動態輸出。 帶電池正負極反接保護的充電管理。

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4串鋰電池保護芯片介紹,XBM5574   級聯功能/集成均衡/NTC/Sense  保護芯片功能基本保護功能:對兩節節串聯可再充電鋰離子/鋰聚合物電池的過充電、過放電和過電流進行保護,同時具備電池反接保護功能,這些功能對于鋰電池的安全使用極其重要。過電流保護閾值調節:4串鋰電池的保護芯片電路的過電流保護閾值由開關MOS管決定,如果覺得該閾值較小,可以將多個開關MOS管進行并聯操作,以增大過流電流,將兩節鋰電池保護芯片電路和兩節鋰電池的充電電路連接在一起,可組成一個充放電工作的電路。若再加上鋰電池輸出電路,鋰電池就可以實現邊充邊放的功能移動電源SOC DS6066 30W-100W 2串-6串DC應用移動電源.東莞XBM3204BCA賽芯內置均衡 內置MOS 2節鋰保

鋰保PCB應用注意事項-布局。南京XBM3360賽芯內置均衡 內置MOS 2節鋰保

鋰電保護應用原理圖①按鋰電池保護芯片的典型原理圖設計,鋰電保護的GND接電池的B-,不能接外部大地,芯片的VM接外部大地。②帶EPAD的芯片,一般EPAD接芯片的GND(B-),請嚴格按照規格書中的典型原理圖來做。③鋰電池保護芯片帶VT腳的,VT腳通常可接芯片GND(B-),或者懸空。④典型應用圖中的100Ω/1KΩ電阻與,濾除電池電壓的劇烈波動和外部強烈電壓干擾,使得VDD電壓盡量穩定,該電阻和電容缺一不可,缺少任何一個都會有少燒芯片的可能,增加生產的不良率(XB5432不加電容)。不同IC的電阻取值有差異,請根據***版的Datesheet的典型應用圖或FAE的建議選擇電阻的取值。⑤馬達應用、LED照明應用、射頻干擾應用、負載電流劇烈變化的應用如音頻功放等,可能需要增大RC濾波的網絡的R和C的值,如采用1K和、500Ω+1uF、1K+1uF等,比較大采用1K+1uF。⑥在VM和GND之間靠近管腳加一個,可以增強鋰電保護電路的系統級ESD,增強對尖峰電壓等外部信號的抗干擾能力。⑦鋰電保護芯片可并聯使用,減小內阻,增強持續電流,多芯片并聯使用時,芯片VDD的RC網絡,電阻可共用,但電容須要一個保護芯片配一個電容。南京XBM3360賽芯內置均衡 內置MOS 2節鋰保