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LLB1000用到了閃爍體探測器和PIPS探測器。其中，閃爍體探測器是采用α閃爍物質和β閃爍物質復合閃爍體作為發光元件。由于α粒子的射程短，當粒子進入α閃爍物質時，將全部能量損失在ZnS(Ag)材料上，引起閃爍發光，光電倍增管產生α信號。β粒子由于穿透能力較強，β粒子穿過ZnS(Ag)材料進入β閃爍物質，產生閃爍光，進入光電倍增管產生β信號。PIPS探測器是半導體兩端加反向電壓，N區接正，P區接負，外加電場方向與內建電場方向相同，使耗盡層增厚，漂移運動增強。當帶電粒子穿過時產生電子－空穴對，在高電場下分別向正負電極漂移，產生信號。信號幅度正比于電子空穴對數目，正比于入射粒子損失能量。

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