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臨沂反并聯可控硅模塊

來源: 發布時間:2025-03-18

導通角與模塊輸出電流的關系:山東可控硅模塊的導通角與模塊能輸出的器強大電流有直接關系,模塊的標稱電流是強大導通角時能輸出的強大電流。在小導通角(輸出電壓與輸入電壓比值很?。┫螺敵龅碾娏鞣逯岛艽螅娏鞯挠行е岛苄。ㄖ绷鲀x表一般顯示平均值,交流儀表顯示非正弦電流時比實際值?。禽敵鲭娏鞯挠行е岛艽螅雽w器件的發熱與有效值的平方成正比,會使模塊嚴重發熱甚至燒毀。因此,山東可控硅模塊應選擇在強大導通角的65%以上工作,及控制電壓應在5V以上。淄博正高電氣有限公司敢于承擔、克難攻堅。臨沂反并聯可控硅模塊

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可控硅模塊又叫晶閘管,自從20世紀50年代問世以來已經發展成了一個大的家族,它的主要成員有單向晶閘管、雙向晶閘管、光控晶閘管、逆導晶閘管、可關斷晶閘管、快速晶閘管,等等?,F在大家使用的是單向晶閘管,也就是人們常說的普通晶閘管,它是由四層半導體材料組成的,有三個PN結,對外有三個電極:首層P型半導體引出的電極叫陽極A,第三層P型半導體引出的電極叫控制極G,第四層N型半導體引出的電極叫陰極K。從晶閘管的電路符號可以看到,它和二極管一樣是一種單方向導電的器件,關鍵是多了一個控制極G,這就使它具有與二極管完全不同的工作特性。廣西小功率可控硅模塊哪家好淄博正高電氣有限公司以創百年企業、樹百年品牌為使命,傾力為客戶創造更大利益!

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可控硅鑒別三個極的方法很簡單,根據P-N結的原理,用萬用表測量一下三個極之間的電阻值就可以判斷出來。

  陽極與陰極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上,陽極和控制極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上(它們之間有兩個P-N結,而且方向相反,因此陽極和控制極正反向都不通)。

  控制極與陰極之間是一個P-N結,因此它的正向電阻大約在幾歐-幾百歐的范圍,反向電阻比正向電阻要大。可是控制極二極管特性是不太理想的,反向不是完全呈阻斷狀態的,可以有比較大的電流通過,因此,有時測得控制極反向電阻比較小,并不能說明控制極特性不好。另外,在測量控制極正反向電阻時,萬用表應放在R*10或R*1擋,防止電壓過高控制極反向擊穿。

  若測得元件陰陽極正反向已短路,或陽極與控制極短路,或控制極與陰極反向短路,或控制極與陰極斷路,說明元件已損壞。

可控硅模塊的應用領域

可控硅模塊應用于溫度控制、調光、勵磁、電鍍、電解、充放電、電焊機、等離子弧、逆變電源等需要調節和改變電能的場合,如工業、通信、電力系統、電力系統等及其它各種電控、電源等,根據此也可通過模塊的控制端口與多功能控制板相連,完成電流穩定、電壓穩定和軟啟動。并可結束過流、過電壓、過溫、缺乏平衡維護功能。

可控硅模塊由于它在電路應用中的效率高、控制特性好、壽命長、體積小、功能強等優點,自上個世紀六十長代以來,獲得了迅猛發展,并已形成了一門**的學科。

可控硅模塊發展到現在,在工藝上已經非常成熟,品質更好,成品率大幅提高,并向高壓大電流發展。 淄博正高電氣有限公司以誠信為根本,以質量服務求生存。

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雙向可控硅晶閘管使用中,應特別注意以下事項:


1.靈敏度

雙向可控硅是一個三端元件,但我們不再稱其兩極為陰陽極,而是稱作T1和T2極,G為控制極,其控制極上所加電壓無論為正向觸發脈沖或負向觸發脈沖均可使控制極導通,但是觸發靈敏度互不相同,即保證雙向可控硅能進入導通狀態的較小門極電流IGT是有區別的。

2.可控硅過載的保護

可控硅元件優點很多,但是它過載能力差,短時間的過流,過壓都會造成元件損壞,因此為保證元件正常工作,需有條件:

(1)外加電壓下允許超過正向轉折電壓,否則控制極將不起作用;

(2)可控硅的通態平均電流從安全角度考慮一般按較大電流的1.5~2倍來??;

(3)為保證控制極可靠觸發,加到控制極的觸發電流一般取大于其額值,除此以外,還必須采取保護措施,一般對過流的保護措施是在電路中串入快速熔斷器,其額定電流取可控硅電流平均值的1.5倍左右,其接入的位置可在交流側或直流側,當在交流側時額定電流取大些,一般多采用前者,過電壓保護常發生在存在電感的電路上,或交流側出現干擾的浪涌電壓或交流側的暫態過程產生的過壓。由于,過電壓的尖峰高,作用時間短,常采用電阻和電容吸收電路加以。


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斷一個可控硅元件是否完好,工程師需要從四個方面進行檢查,首先是判斷該元件的三個PN結應完好,其次是當陰極與陽極間電壓反向連接時能夠阻斷不導通,第三是當控制極開路時,陽極與陰極間的電壓正向連接時也不導通,第四是給控制極加上正向電流,給陰極與陽極加正向電壓時,可控硅應當導通,把控制極電流去掉后仍處于導通狀態。滿足以上四個條件的可控硅元件,才是符合設計使用要求的。

  想要看一個可控硅元件是否符合以上要求,其實非常簡單,只需要用萬用表的歐姆擋測量可控硅的極間電阻,就可對**個方面的好壞進行判斷。具體的操作方法是:用R×1k或R×10k擋測陰極與陽極之間的正反向電阻(控制極不接電壓),此兩個阻值均應很大。電阻值越大,表明正反向漏電電流愈小。如果測得的阻值很低,或近于無窮大,說明可控硅已經擊穿短路或已經開路,此可控硅不能使用了。 臨沂反并聯可控硅模塊

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