體型半導體應變片這種半導體應變片是將單晶硅錠切片、研磨、腐蝕壓焊引線，結尾粘貼在鋅酚醛樹脂或聚酰亞胺的襯底上制成的。體型半導體應變片可分為6種。①普通型：它適合于一般應力測量；②溫度自動補償型：它能使溫度引起的導致應變電阻變化的各種因素自動抵消，只適用于特定的試件材料；③靈敏度補償型：通過選擇適當的襯底材料（例如不銹鋼），并采用穩流電路，使溫度引起的靈敏度變化極小；④高輸出（高電阻）型：它的阻值很高（2～10千歐）,可接成電橋以高電壓供電而獲得高輸出電壓，因而可不經放大而直接接入指示儀表。⑤超線性型：它在比較寬的應力范圍內，呈現較寬的應變線性區域，適用于大應變范圍的場合；⑥P-N組合溫度補償型：它選用配對的P型和N型兩種轉換元件作為電橋的相鄰兩臂，從而使溫度特性和非線性特性有較大改善。 非接觸式檢測軸承誤差。高精度激光干涉儀高精度測量

利用不同構形的彈性敏感元件可測量各種物體的應力、應變、壓力、扭矩、加速度等機械量。半導體應變片與電阻應變片(見電阻應變片相比，具有靈敏系數高（約高 50～100倍）、機械滯后小、體積小、耗電少等優點。P型和N型硅的靈敏系數符號相反，適于接成電橋的相鄰兩臂測量同一應力。早期的半導體應變片采用機械加工、化學腐蝕等方法制成，稱為體型半導體應變片。它的缺點是電阻和靈敏系數的溫度系數大、非線性大和分散性大等。這曾限制了它的應用和發展。自70年代以來，隨著半導體集成電路工藝的迅速發展，相繼出現擴散型、外延型和薄膜型半導體應變片，上述缺點得到一定克服。半導體應變片主要應用于飛機、導彈、車輛、船舶、機床、橋梁等各種設備的機械量測量。納米精度激光干涉儀位移探頭安裝 在線性導軌上，在一個軸上移動探頭，而線性導軌則集成在一個橋中。

波長的測量任何一個以波長為單位測量標準米尺的方法也就是以標準米尺為單位來測量波長的方法。以國際米為標準，利用干涉儀可精確測定光波波長。法布里-珀luo gan 涉儀（標準具）曾被用來確定波長的初級標準（鎘紅譜線波長）和幾個次級波長標準，從而通過比較法確定其他光譜線的波長。檢驗光學元件泰曼干涉儀被普遍用來檢驗平板、棱鏡和透鏡等光學元件的質量。在泰曼干涉儀的一個光路中放置待檢查的平板或棱鏡，平板或棱鏡的折射率或幾何尺寸的任何不均勻性必將反映到干涉圖樣上。若在光路中放置透鏡，可根據干涉圖樣了解由透鏡造成的波面畸變，從而評估透鏡的波像差。

體型半導體應變片這種半導體應變片是將單晶硅錠切片、研磨、腐蝕壓焊引線，結尾粘貼在鋅酚醛樹脂或聚酰亞胺的襯底上制成的。體型半導體應變片可分為6種。

①普通型：它適合于一般應力測量；

②溫度自動補償型：它能使溫度引起的導致應變電阻變化的各種因素自動抵消，只適用于特定的試件材料；

③靈敏度補償型：通過選擇適當的襯底材料（例如不銹鋼），并采用穩流電路，使溫度引起的靈敏度變化極小；

④高輸出（高電阻）型：它的阻值很高（2～10千歐）,可接成電橋以高電壓供電而獲得高輸出電壓，因而可不經放大而直接接入指示儀表。

⑤超線性型：它在比較寬的應力范圍內，呈現較寬的應變線性區域，適用于大應變范圍的場合；

⑥P-N組合溫度補償型：它選用配對的P型和N型兩種轉換元件作為電橋的相鄰兩臂，從而使溫度特性和非線性特性有較大改善。   軸的直徑為10毫米，以每分鐘2160轉（RPM）旋轉。

(3)非接觸測頭以及各種掃描探針顯微鏡。航空航天行業對此已經提出迫切要求，這是今后坐標測量機發展的關鍵技術。目前接觸式測頭已完全被國外所壟斷，非接觸測頭還沒有發展成熟，我們有參與競爭的機遇。以前較多采用的激光三角法原理受到很多限制，難以有突破性進展，但可在原理創新上下功夫。應該突破0.1～0.5μm分辨率。(5)新器件，新材料。過去，科研評價體系存在偏重于整機和系統，忽視材料和器件的趨向。新的突破點可能出現在新光源、新型高頻探測器。目前探測器的響應頻率只有10的9次方，而光頻高達10的14次方，目前干涉儀實際上是起著混頻器的作用，適應探測器的不足(如果探測器的響應果真能超過光頻，干涉儀也就沒有用了)。如果探測器的性能得到顯著提高，對于通訊也是很大的突破。       定衛器的觸發運動控置。三維輪廓激光干涉儀平臺

三坐標測量機和加工中心的校準。高精度激光干涉儀高精度測量

激光干涉儀，以激光波長為已知長度，利用邁克耳遜干涉系統測量位移的通用長度測量。激光具有高的強度、高度方向性、空間同調性、窄帶寬和高度單色性等優點。目前常用來測量長度的干涉儀，主要是以邁克爾遜干涉儀為主，并以穩頻氦氖激光為光源，構成一個具有干涉作用的測量系統。激光干涉儀可配合各種折射鏡、反射鏡等來作線性位置、速度、角度、真平度、真直度、平行度和垂直度等測量工作，并可作為精密工具機或測量儀器的校正工作。 高精度激光干涉儀高精度測量