1N5399硅整流二極管1000V,,1N5400硅整流二極管50V,3A,(Ir=5uA,Vf=1V,Ifs=150A)1N5401硅整流二極管100V,3A,1N5402硅整流二極管200V,3A,1N5403硅整流二極管300V,3A,1N5404硅整流二極管400V,3A,1N5405硅整流二極管500V,3A,1N5406硅整流二極管600V,3A,1N5407硅整流二極管800V,3A,1N5408硅整流二極管1000V,3A,1S1553硅開關二極管70V,100mA,300mW,,1S1554硅開關二極管55V,100mA,300mW,,1S1555硅開關二極管35V,100mA,300mW,,1S2076硅開關二極管35V,150mA,250mW,8nS,3PF,450ma,Ir≤1uA,Vf≤,≤,1S2076A硅開關二極管70V,150mA,250mW,8nS,3PF,450ma,60V,Ir≤1uA,Vf≤,≤,1S2471硅開關二極管80V,Ir≤≤,≤2PF,1S2471B硅開關二極管90V,150mA,250mW,3nS,3PF,450ma,1S2471V硅開關二極管90V,130mA,300mW,4nS,2PF,400ma,1S2472硅開關二極管50V,Ir≤≤,≤2PF,1S2473硅開關二極管35V,Ir≤≤,≤3PF,1S2473H硅開關二極管40V,150mA,300mW,4nS,3PF,450ma,2AN1二極管5A,f=100KHz2CK100硅開關二極管40V,150mA,300mW,4nS,3PF,450ma,2CK101硅開關二極管70V,150mA,250mW,8nS,3PF,450ma,2CK102硅開關二極管35V,150mA,250mW,8nS,3PF,450ma,2CK103硅開關二極管20V,100mA,2PF,100ma,2CK104硅開關二極管35V。PN結的反向擊穿有齊納擊穿和雪崩擊穿之分。云南哪里有二極管模塊價格優惠

促使整流管加速老化，并被過早地擊穿損壞。（3）運行管理欠佳。值班運行人員工作不負責任，對外界負荷的變化(特別是在深夜零點至第二天上午6點之間)不了解，或是當外界發生了甩負荷故障，運行人員沒有及時進行相應的操作處理，產生過電壓而將整流管擊穿損壞。（4）設備安裝或制造質量不過關。由于發電機組長期處于較大的振動之中運行，使整流管也處于這一振動的外力干擾之下；同時由于發電機組轉速時高時低，使整流管承受的工作電壓也隨之忽高忽低地變化，這樣便地加速了整流管的老化、損壞。（5）整流管規格型號不符。更換新整流管時錯將工作參數不符合要求的管子換上或者接線錯誤，造成整流管擊穿損壞。（6）整流管安全裕量偏小。整流管的過電壓、過電流安全裕量偏小，使整流管承受不起發電機勵磁回路中發生的過電壓或過電流暫態過程峰值的襲擊而損壞。整流二極管代換編輯整流二極管損壞后，可以用同型號的整流二極管或參數相同其它型號整流二極管代換。通常，高耐壓值（反向電壓）的整流二極管可以代換低耐壓值的整流二極管，而低耐壓值的整流二極管不能代換高耐壓值的整流二極管。整流電流值高的二極管可以代換整流電流值低的二極管。甘肅優勢二極管模塊聯系人二極管正向導通后，它的正向壓降基本保持不變（硅管為0.7V，鍺管為0.3V）。

光二極管?紅外發光二極管?紅外接收二極管?激光二極管6主要應用?電子電路應用?工業產品應用二極管結構組成編輯二極管就是由一個PN結加上相應的電極引線及管殼封裝而成的。[4]采用不同的摻雜工藝，通過擴散作用，將P型半導體與N型半導體制作在同一塊半導體（通常是硅或鍺）基片上，在它們的交界面就形成空間電荷區稱為PN結。[4]由P區引出的電極稱為陽極，N區引出的電極稱為陰極。因為PN結的單向導電性，二極管導通時電流方向是由陽極通過管子內部流向陰極。[4]各種二極管的符號二極管的電路符號如圖所示。二極管有兩個電極，由P區引出的電極是正極，又叫陽極；由N區引出的電極是負極，又叫陰極。三角箭頭方向表示正向電流的方向，二極管的文字符號用VD表示。[4]二極管工作原理編輯二極管的主要原理就是利用PN結的單向導電性，在PN結上加上引線和封裝就成了一個二極管。晶體二極管為一個由P型半導體和N型半導體形成的PN結，在其界面處兩側形成空間電荷層，并建有自建電場。當不存在外加電壓時，由于PN結兩邊載流子濃度差引起的擴散電流和自建電場引起的漂移電流相等而處于電平衡狀態。[5]當外界有正向電壓偏置時。

外界電場和自建電場的互相抑消作用使載流子的擴散電流增加引起了正向電流。當外界有反向電壓偏置時，外界電場和自建電場進一步加強，形成在一定反向電壓范圍內與反向偏置電壓值無關的反向飽和電流。[5]當外加的反向電壓高到一定程度時，PN結空間電荷層中的電場強度達到臨界值產生載流子的倍增過程，產生大量電子空穴對，產生了數值很大的反向擊穿電流，稱為二極管的擊穿現象。PN結的反向擊穿有齊納擊穿和雪崩擊穿之分。[5]二極管PN結形成原理P型半導體是在本征半導體（一種完全純凈的、結構完整的半導體晶體）摻入少量三價元素雜質，如硼等。P型和N型半導體因硼原子只有三個價電子，它與周圍的硅原子形成共價鍵，因缺少一個電子，在晶體中便產生一個空位，當相鄰共價鍵上的電子獲得能量時就有可能填補這個空位，使硼原子成了不能移動的負離子，而原來的硅原子的共價鍵則因缺少一個電子，形成了空穴，但整個半導體仍呈中性。這種P型半導體中以空穴導電為主，空穴為多數載流子，自由電子為少數載流子。[6]N型半導體形成的原理和P型原理相似。在本征半導體中摻入五價原子，如磷等。摻入后，它與硅原子形成共價鍵，產生了自由電子。在N型半導體中，電子為多數載流子。當給陽極和陰極加上反向電壓時，二極管截止。

由于LC并聯諧振電路中的電容不同，一種情況只有C1，另一種情況是C1與C2并聯，在電容量不同的情況下LC并聯諧振電路的諧振頻率不同。所以，VD1在電路中的真正作用是控制LC并聯諧振電路的諧振頻率。關于二極管電子開關電路分析細節說明下列二點：1）當電路中有開關件時，電路的分析就以該開關接通和斷開兩種情況為例，分別進行電路工作狀態的分析。所以，電路中出現開關件時能為電路分析提供思路。2）LC并聯諧振電路中的信號通過C2加到VD1正極上，但是由于諧振電路中的信號幅度比較小，所以加到VD1正極上的正半周信號幅度很小，不會使VD1導通。3．故障檢測方法和電路故障分析如圖9-47所示是檢測電路中開關二極管時接線示意圖，在開關接通時測量二極管VD1兩端直流電壓降，應該為，如果遠小于這個電壓值說明VD1短路，如果遠大小于這個電壓值說明VD1開路。另外，如果沒有明顯發現VD1出現短路或開路故障時，可以用萬用表歐姆檔測量它的正向電阻，要很小，否則正向電阻大也不好。圖9-47檢測電路中開關二極管時接線示意圖如果這一電路中開關二極管開路或短路，都不能進行振蕩頻率的調整。開關二極管開路時，電容C2不能接入電路，此時振蕩頻率升高；開關二極管短路時。此時它不需要外加電源，能夠直接把光能變成電能。云南哪里有二極管模塊價格優惠

它們的結構為點接觸型。其結電容較小，工作頻率較高，一般都采用鍺材料制成。云南哪里有二極管模塊價格優惠

溫敏二極管PN結的壓降是溫度的函數，溫度每升高一度，溫敏二極管PN結正向壓降下降2mV。用于測溫電路。精密二極管簡稱PD，精密二極管是一種具有穩定電壓和穩定電流的高精度二極管。它的工作溫度寬，線性好，穩定性非常高。常用于各種電子路中的恒流源或恒壓源。光敏二極管有光照時，電阻小，電流大，無光照時，電阻大，電流小紅外發射二極管紅外發光二極管是一種能發出紅外線的二極管，通常應用于遙控器等場合激光二極管激光二極管的特色之一，是能直接從電流調制其輸出光的強弱。因為輸出光功率與輸入電流之間多為線性關系，所以激光二極管可以采用模擬或數字電流直接調制輸出光的強弱防雷二極管常常用來保護對電壓很敏感的電信設備，防止雷擊和設備開關動作時產生的瞬態浪涌電壓將它們損壞。GDT是高阻抗的元件檢波二極管檢波二極管是用于把疊加在高頻載波上的低頻信號檢出來的器件。云南哪里有二極管模塊價格優惠